Канадские эксперты TechInsights продолжают анализировать компонентную базу представленных осенью уходящего года смартфонов Huawei семейства Mate 70, их очередным открытием стало обнаружение микросхем DRAM и NAND производства SK hynix в составе Mate 70 Pro и Mate 70 Pro Plus, хотя американские санкции теоретически должны были ограничить доступ китайского гиганта к таким чипам памяти.
Во всяком случае, как сообщает South China Morning Post, внутри смартфона Mate 70 Pro исследователи обнаружили микросхему DRAM производства SK hynix объёмом 12 Гбайт, а также чип флеш-памяти NAND объёмом 512 Гбайт той же марки. В составе более дорогого смартфона Mate 70 Pro Plus аналогичный чип флеш-памяти сочетался с 16-гигабайтной микросхемой DRAM производства SK hynix.
Как поясняют авторы исследования, южнокорейская компания использовала 14-нм техпроцесс в сочетании с EUV-литографией при выпуске обеих микросхем DRAM. Принято считать, что подобную память SK hynix начала поставлять во второй половине 2021 года, девять месяцев спустя после вступления в силу экспортных ограничений США в отношении Huawei Technologies. В компании SK hynix факт сотрудничества с Huawei в указанный период всячески отрицают, но представители TechInsights при этом подчёркивают, что основная часть выпущенных Huawei в прошлом году флагманских смартфонов использовала именно чипы памяти SK hynix. В моделях попроще уже применяется память китайского производства: DRAM поставляет CXMT, а NAND выпускает YMTC. В силу каких-то причин Huawei до сих пор предпочитает комплектовать свои старшие модели смартфонов памятью производства SK hynix.
