Connect with us

Hi, what are you looking for?

Интресное и непознанное

Из-за китайских санкций США занялись разработкой транзисторов на алмазах и нитриде алюминия

Из-за китайских санкций США занялись разработкой транзисторов на алмазах и нитриде алюминия

В передовых силовых микросхемах и радиочастотных усилителях используются полупроводники с широким значением запрещённой зоны, например, нитрид галлия (GaN). Львиную долю мировых поставок галлия контролирует Китай, и недавно введённые Пекином ограничения на его экспорт означают дополнительные риски для нацбезопасности ряда стран, включая США. Поэтому входящее в Минобороны США агентство DARPA поручило Raytheon разработать синтетические полупроводники из алмазов и нитрида алюминия в качестве альтернативы GaN.

Из-за китайских санкций США занялись разработкой транзисторов на алмазах и нитриде алюминия

Цель Raytheon — обеспечить внедрение данных материалов в оборудование, предназначенное для современных и перспективных радиолокационных и коммуникационных систем: радиочастотные переключатели, ограничители и усилители мощности — это поможет расширить их возможности и дальность действия. Такие компоненты будут применяться в аппаратуре для зондирования, радиоэлектронной борьбы, направленной передачи энергии и в системах высокоскоростного оружия, включая гиперзвуковое. В будущем, вполне возможно, подобные полупроводники найдут применение и в гражданской сфере, например, в электромобилях, системах связи и других приложениях.

Ведущим материалом в силовых и высокочастотных полупроводниках является нитрид галлия, ширина запрещённой зоны которого составляет 3,4 эВ. Его возможности способен превзойти синтетический алмаз с 5,5 эВ — он окажется полезным в оборудовании, где критически важны высокочастотные характеристики, высокая подвижность электронов, экстремальный контроль температур, высокие мощность и долговечность. Но синтетический алмаз пока является новым материалом в полупроводниковой сфере, и до сих пор существуют проблемы, связанные с его массовым производством. Ещё более широкая запрещённая зона в 6,2 эВ у нитрида алюминия, а значит, он даже лучше подходит для такого оборудования. Но Raytheon только предстоит разработать соответствующие полупроводниковые компоненты.

На первом этапе компания займётся разработкой полупроводниковых плёнок на основе алмаза и нитрида алюминия. На втором — эти технологии будут оптимизироваться для работы на пластинах большего диаметра, в частности, для сенсорных систем. Обе фазы Raytheon надлежит завершить за три года. У компании уже есть опыт в интеграции GaN- и GaAs-компонентов в радиолокационное оборудование, поэтому и с новой задачей она, вероятно, справится.

You May Also Like

Интресное и непознанное

Сегодня я хочу поделиться с вами топ-10 самых популярных и интересных мест для рыбалки на великолепной реке Волге. Итак, хватайте рыболовные снасти и давайте...

Авто-мото

Корпорация Toshiba в сотрудничестве с японским брендом Sojitz и ведущим мировым производителем ниобия, фирмой CBMM, представила в Бразилии электрический автобус-прототип с установленным аккумулятором Toshiba...

Авто-мото

В настоящее время самыми продаваемыми моделями легковых автомобилей на российском рынке являются кроссоверы. На российском вторичном рынке представлено большое количество моделей легковых автомобилей, которые...

Авто-мото

Китайский автомобильный производитель легковых автомобилей Geely представил обновленную модель Coolray, которая получила переработанный дизайн и иной силовой агрегат. Новая версия Geely Coolray получит приставку...